电子设计技巧(八)——晶振参数中的负载电容CL
发布日期:2021-05-24 12:44:11 浏览次数:18 分类:精选文章

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晶振负载电容的设计与应用分析

晶振负载电容(Load Capacitance,简称CL)是晶振器设计中的重要参数。其在电子设备中的应用依赖于具体的使用场景,如PCBA等对功耗敏感的设备通常使用较大负载电容(如15PF、18PF、20PF),而对低功耗有更高需求的数码产品(如腕表、手机、蓝牙耳机)则常采用较小的负载电容(如6PF、7PF、9PF、10PF、12PF)。

在生产制造中,晶振的负载电容值会根据设计需求进行固定,这意味着在电路应用中无法通过调整外接电容来微调晶振output频率。然而,在有源晶振器中,不需要额外的外接电容,因此省去了一次与晶振负载电容匹配的过程。

晶振负载电容的选取与两端的电容匹配可通过公式计算为:

[ CL = \frac{C1 \times C2}{C1 + C2} + C'' ]
其中,C1和C2为晶振两端的电容值,C''为线路杂散电容,通常取值为0.5pF-1pF。

在无源晶体振荡器的工作中,负载电容CL等效于晶体所包含的所有电容。实际测量时,应注意避免使用示波器探头或万用表笔直接检测晶振器,因其会引入寄生电容,影响测量精度,同时也会改变晶体的ESR值甚至导致晶振器停止工作。

移动端设备如腕表、智能手表等由于对低功耗的需求,通常采用较小的负载电容值,从而提升电池续航。

晶振器制造工艺水平和稳定性直接决定了其性能质量。有效的负载电容匹配设计与优化能够显著提升晶振器的精度和可靠性。

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