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一、简介

STM32芯片内部包含一个Flash存储器，主要用于存储代码。在项目开发阶段，通过编写应用程序并使用下载器，将编译后的代码文件烧录到内部Flash存储器中。由于Flash存储器具有非易失性特性，即使在断电后，运行时恢复时仍能从内部Flash加载并执行程序。

此外，STM32在运行状态下也支持对内部Flash存储器进行读写操作。如果内部Flash存储了完整应用程序且还有剩余空间，可以将其类似外部SPI-FLASH一样利用，存储运行时产生的需要电制保存的数据。相比之下，内部Flash的访问速度大大高于外部Flash，因此常用于紧急状态下关键记录存储。为了防止程序被盗用，有时会在第一次运行时添加加密 Region，并记录加密信息，最终删除加密代码。

二、STM32内部结构简介

STM32芯片的Flash存储器分为两部分：一部分用于存储系统内核及其配置，另一部分则为用户空间。用户空间Flash（USER_FLASH_BASE）通常提供了16 KB以上的空间，适用于存储用户程序。这一区域的擦除和编程操作需要通过专门的接口进行，需注意首先解锁Flash，然后选择合适的页面进行操作，最后再次上锁。

三、代码示例

以下示例展示了对Flash存储器进行半字节读写操作的方法：

// 半字节写操作
void Write_Flash_HalfWord(u32 addr, u16 data) {
    FLASH_Unlock();          // 解锁Flash
    FLASH_ErasePage USER_FLASH_BASE; // 擦除指定页面
    FLASH_ProgramHalfWord(addr, data); // 写入半字节数据
    FLASH_Lock();          // 锁定Flash
}
// 半字节读操作
u16 Read_Flash_HalfWord(u32 addr) {
    return *(u16*)addr;
}
// 大字节数组写入
void Write_Flash_Array(u32 addr, u16* buf, u8 len) {
    u8 j = 0;
    FLASH_Unlock();
    FLASH_ErasePage USER_FLASH_BASE;
    while (len--) {
        FLASH_ProgramHalfWord(addr, buf[j]);
        addr += 2;
        j++;
    }
    FLASH_Lock();
}
// 大字节数组读取
void Read_Flash_Array(u32 addr, u16* buf, u8 len) {
    u8 j = 0;
    while (len--) {
        buf[j++] = *(u16*)addr;
        addr += 2;
    }
}
// 示例主函数
int flash_test() {
    const u16 in_words[] = {0x0000, 0x1111, 0x2222, 0x3333, 0x4444, 0x5555, 0x6666, 0x7777, 0x8888, 0x9999};
    u16 out_words[LEN];
    Write_Flash_Array(USER_FLASH_BASE, in_words, LEN);
    while (true) {
        Read_Flash_Array(USER_FLASH_BASE, out_words, LEN);
        for (u8 i = 0; i < LEN; i++) {
            UART3_SendByte((u8)out_words[i]);
        }
    }
}

此代码示例涵盖了Flash存储器的基本操作方法，包括擦除、读取和编程操作，适用于需要在芯片运行时对Flash存储器进行操作的场景。

四、遇到的问题与解决方法

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