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双脉冲测试、短路测试与QG测试

一、双脉冲测试

双脉冲测试是评估IGBT驱动电路性能的常用方法。硬件框图如上图所示，主要包含高压源、低压源、叠层母排、电容池、空心电感以及IGBT模块等关键部件。

充电过程如下：高压源通过叠层母排与电容池连接，完成充电。低压源则负责驱动板的供电，而信号发生器通过双脉冲信号控制IGBT模块的工作状态。

具体操作方法为：若双脉冲信号输出至下管，则IGBT上管保持截止状态；若信号输出至上管，则下管导通。这种设计使得电容池在下管导通时充电，当下管截止时，电容池与上管的二极管构成回路并进行电流截断。

二、短路测试

短路测试有两种常见方法：

无论采用哪种方法，单脉冲的宽度需逐步调节，以确保测试的准确性。

三、QG测试

QG测试主要用于衡量IGBT驱动电路的功耗。操作流程为：首先用电流源为Cge充电，待其充电一段时间后，再给Cgc充电。此时Cgc充电状态即为米勒平台，通常用于分析电路的功耗特性。

需要注意的是，QG测试的准确性依赖于仿真模型的准确性，实际应用中可能存在一定误差。因此在实际测试中需结合其他测试方法进行综合分析。